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（中央社記者張建中新竹12日電）動態隨機存取記憶體（DRAM）廠力晶半導體計劃增資11億股，用以海外購料或償還銀行借款等；增資將採私募增資及現金增資或發行海外存託憑證等方式。 力晶去年財報出爐，儘管第4季單季轉虧為盈，獲利新台幣16億餘元，只是整年度仍虧損207.12億元，每股虧損2.52元。 力晶至去年底累積虧損已超過資本額一半，董事會決議減資343.77億元，彌補累積虧損，改善財務結構。 為支應海外購料所需資金，力晶董事會同時決議私募增資3億股；另為配合購置設備、海外購料、充實營運資金或償還銀行借款，力晶董事會也決議辦理8億股現金增資或參與發行海外存託憑證。 力晶表示，為能爭取較佳條件，避免股本過度膨脹，初步規劃不會在減資後，隨即辦理增資，將視後續狀況，擇適當時機辦理。990412
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