即時財經新聞

台積電在美西時間13日在加州聖荷西市舉行技術研討會中宣佈，將跳過22奈米製程，直接發展20奈米製程，預定可在2012年下半年導入生產。台積電強調，這個考量是基於「為客戶創造價值」而作的決定，提供客戶一個更可行的先進製程選擇。這次技術研討會有1500位客戶及合作廠商代表參與，台積電研究發展資深副總經理蔣尚義在會中表示，台積公司20奈米製程將比22奈米製程擁有更優異的閘密度(gate density)以及晶片效能／成本比，為先進技術晶片的設計人員提供了一個可靠、更具競爭優勢的製程平台。此外，20奈米製程預計於2012年下半開始導入生產。台積公司20奈米製程係在平面電晶體結構製程(planar process)的基礎上採用強化的高介電值/金屬閘(high-k metal gate)、創新的應變矽晶(strained silicon)與低電阻／超低介電值銅導線(low-resistance copper ultra-low-k interconnect)等技術。同時，在其他電晶體結構製程方面，例如鰭式場效電晶體(FinFet)及高遷移率(high-mobility)元件，也展現刷新記錄的可行性(feasibility)指標結果。從技術層面來看，由於已經具備創新微影技術及必要的佈局設計能力，台積公司因此決定直接導入20奈米製程。蔣尚義指出，在先進製程技術的開發上，已經面臨一個關鍵時刻，也就是必須主動積極地考量其投資報酬率，並且需要跳脫單單考慮技術層面的思維模式；必須透過與客戶密切合作以及在資源整合與最佳化方面的創新，同時解決來自技術及經濟層面的挑戰。

相關標籤